5nm芯片集体“翻车” 5nm芯片集体“翻车”有哪些潜在原因
极客湾数据，在某款游戏的测试中，玩了20分钟后，小米11背面温度达到了48℃，而搭载骁龙865的小米10在相同的测试环境下，温控表现更好只有41℃。
芯片表现需要考虑综合因素。但人们仍更倾向于将骁龙888的“翻车”归咎于三星的工艺。理由是，性能提升和功耗控制更好一些的苹果A14和麒麟9000均出自台积电之手。而高通在权衡之下，选择了三星独家代工。
在芯片代工领域，台积电一直是全球市场的老大，三星常年屈居次席，而在市场份额上更是远远落后。根据市场报告显示，台积电2020年独占54%芯片代工市场份额，而三星份额只有17%。
有人质疑高通是因为“图便宜踩了坑”。但也有报道显示，高通之所以将骁龙888交给三星代工，主要原因是“为了保稳定量产”，由于台积电绝大部分5nm产能都供给了苹果，高通才因此投奔了三星。
事实上，高通之外，由台积电代工的苹果A14也因掉电过快遭到消费者吐槽，华为麒麟9000的集成GPU功耗同样面临着居高不下的问题。
先进芯片是不是噱头？
一位芯片行业人士告诉AI财经社，理论上5nm的漏电功耗比7nm更低。但由于“集成了更多的晶体管，累计漏电功耗（静态）反而更高，因此，在用户体验上反而更差，与设计的芯片复杂度有关”。
资料显示，集成电路的功耗分为动态功耗和静态功耗。动态功耗是电路状态变化时产生的功耗，静态功耗则是指晶体管泄露电流产生的功耗。虽然每个晶体管泄漏产生的功耗很小，但因数量庞大，累积的静态功耗难以想象。
集成电路工艺发展至今，高功耗、高发热一直是无法根治的问题。FinFET工艺是针对这一问题的解决手段之一。FinFET源自于传统标准的晶体管的创新设计，中文称为鳍式场效应晶体管。根据百科，FinFET的架构设计，可以大幅改善电路控制并减少漏电流。
但有媒体报道，伴随着晶体管尺寸的进一步缩小，FinFET工艺漏电问题再次出现。
